AI 晶片產能擴張下的微污染挑戰：ISO Class 1 與高階無塵服性能標準解析
導言：2026 年半導體製程與 AI 晶片的良率保衛戰
2026 年全球半導體市場在 AI 晶片需求的驅動下，預計將實現 11.9% 的強勁增長。製程技術因此加速邁向 sub-2nm 等級。對於高階製程的良率工程師而言，微粒子（Nano-sized Particles）與分子污染（AMC）是良率損耗的主要因素。在極致縮小的電路間距下，傳統防護標準無法支撐精密製程需求。建立符合 ISO Class 1 標準的防護體系已成為晶圓代工廠的必要選擇。
一、 Sub-2nm 製程中的微污染風險評估
在 AI 晶片高集成度的設計架構下，細微異物顆粒會導致線路短路。高階製程的污染來源有超過七成來自於人員防護裝備的規格不足。研究數據顯示，2026 年半導體無塵室市場規模將持續擴張，反映出產業對於極致潔淨度的依賴。從材料源頭阻斷微污染源，是優化先進製程良率的核心策略。
高階製程三大污染風險點：
- 超微粒子滲透：普通纖維布料無法濾除直徑小於 0.1µm 的微粒。
- 靜電吸附效應：ESD 保護不當會導致微粒加速吸附至晶圓表面。
- 化學分子逸散：防護材質若含有揮發性有機物，會產生分子污染風險。
💡 技術指南：若您的產線正升級至 sub-2nm 製程，請參考
[ISO Class 1 高階人員防護方案]。
[ISO Class 1 高階人員防護方案]。
二、 關鍵規範：IEST-RP-CC003.4 與 ISO Class 1 定義
應對 AI 晶片精密度的提升，產業標準已演進至更嚴苛的規格。下表整理了高階製程的關鍵環境與裝備標準：
| 規範代碼 | 技術指標重點 | AI 晶片製程關聯性 | CYK 系統化建議 |
|---|---|---|---|
| ISO Class 1 | ≥0.1µm 微粒數 < 10/m³ | 先進製程基礎環境要求 | 採用最高等級單絲長纖布材 |
| IEST-RP-CC003.4 | 無塵服 Helmke Drum 測試 | 定義防護服的動態發塵極限 | 通過 Class 1 滾筒測試驗證 |
（圖：針對 sub-2nm 製程設計的三層式動態微污染控制系統架構）
三、 喬鎧集團（CYK）如何應對高階製程挑戰
身為全球先進供應鏈的一員，喬鎧集團透過以下技術路徑，協助客戶建立符合趨勢的防護系統。特別是越南政府計畫在 2026 年啟動首座晶圓廠，反映出東南亞供應鏈在「非中製」布局中的戰略角色。
- 先進材質研發：採用高密度導電纖維，達成抗靜電效能並降低布料表面發塵量。
- 供應鏈韌性佈局：透過越南生產基地提供產能供給，滿足 AI 產業鏈對非中製高規耗材的需求。
- 嚴謹驗證標準：每一件 ISO Class 1 無塵服皆經過嚴格顆粒計數測試，確保產品符合製程要求。
常見問題 (FAQ)
Q1：為什麼 AI 晶片封裝製程也需要 ISO Class 1 標準？
隨著 CoWoS 技術普及，封裝內部的電路間距極小，細微顆粒會導致多晶片模組報廢。因此，高階封裝區的潔淨度要求正快速向前端製程靠攏。
Q2：如何評估無塵服是否真正符合 sub-2nm 製程？
除了基本測試報告，需考量布料在多次清洗後的效能表現。CYK 提供完整的產品生命週期數據，協助客戶建立科學化的汰換機制。
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關於 CYK 喬鎧興業
喬鎧興業致力於透過全球多元產能與技術研發，協助精密製造業應對法規與環境挑戰。在 2026 年供應鏈轉型期，本集團提供耗材系統化解決方案，藉此協助客戶實現韌性、合規與永續發展之三重目標。
